[綜合]無題

鎧俠、閃迪尋求合作：計畫在美國建設NAND晶圓廠

2025-11-28 17:10:15 出處：快科技 作者：鹿角 編輯：鹿角

AI摘要

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鎧俠與閃迪正評估在美國新建NAND快閃記憶體廠，以響應美日供應鏈本土化戰略；目前雙方所有NAND產能均在日本四日市與北上市，全球近九成NAND產能在東亞。三星、SK海力士、美光此前美國建廠計畫均未涉NAND，使該潛在項目更具戰略意義。但台積電亞利桑那州廠2020年5月宣佈後延期量產，預示美建廠面臨工程管理與人才挑戰。若推進，選址到偵錯至少需三至五年，短期內難改全球NAND供應格局。

快科技11月28日消息，據行業消息透露，儲存巨頭鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）正評估在美國新建NAND快閃記憶體製造廠的可能性，此舉被視為響應美日兩國政府強化半導體供應鏈本土化的戰略要求。

目前鎧俠-閃迪聯盟的NAND晶圓廠均位於日本境內（四日市與北上市），而全球近90%的NAND產能集中於東亞地區。

值得注意的是，三星電子、SK海力士及美光三大儲存原廠此前公佈的美國建廠計畫均未涉及NAND業務，使得此次潛在動向更具戰略意義。

然而在美建廠面臨顯著風險，台積電亞利桑那州項目便是前車之鑑：2020年5月宣佈的鳳凰城工廠直至2021年4月方正式動工，實際量產時間較原計畫大幅延後，凸顯美國本土半導體製造面臨的工程管理、人才供給等系統性挑戰。

行業分析指出，即便鎧俠與閃迪最終推進美國建廠計畫，從選址決策到裝置偵錯至少需3-5年週期。這意味著未來兩至三年內，全球NAND快閃記憶體供應格局將維持現有態勢，新建工廠短期內難以對市場產生實質性影響。